2月23日的時候，美國國會參議院表示正在啟動一項新的議案，該議案提出美國將投入多達1000億美元，用于半導體產業。按照美國的計劃，這筆錢將用來構建美國芯片產業完整的產業鏈，而之所以本就芯片產業發達的美國還要有這么大的投入，其原因就在于徹底扼殺中國芯片產業的崛起。
我們知道，如今美國針對中國的科技公司已經下達了芯片禁令，導致我們無法進口高端芯片，而中國的高端芯片一向的弱勢產業。另外，為了應對中國芯片自主研發，美國人打算完善本國芯片產業，從而在未來的技術與市場上讓中國芯片徹底無路可走。對于中國芯片而言，只能走自己的路，并且還要與時間賽跑，在被美國人徹底鎖死之前攻克高端芯片難關。
然而，高端芯片的研制，需要高精密的光刻機設備，而這種設備只有荷蘭公司會出售，但美國同樣對荷蘭公司下達了禁令，也就是說，我們要給國產芯片找到出路，必須首先研制出高端光刻機。高端光刻機的技術相當復雜，甚至比一款高性能航空發動機還要難，那么中國芯片真的走投無路了么？不過這句話對中國并不適用，因為我們可以創造奇跡。
根據清華大學官方網站2月25日的消息，由清華大學教授唐傳祥所領導的科研團隊與德國研究團隊在權威學術雜志《自然》上發表了一篇名為《穩態微聚束原理的實驗演示》的研究論文，這篇論文的核心便是通過試驗驗證了一種名為“穩態微聚束的”新型粒子加速器光源原理。
據獲悉，此次試驗基于SSMB原理，通過試驗可以獲得波長覆蓋從太赫茲到極紫外波段，而極紫外波段又被稱為EUV波段。是的，很顯然這與荷蘭光刻機公司所生產的EUV光刻機有關系。EUV光刻機被稱為極紫外光刻機，其原理便與EUV光譜有著密切的關系。
簡而言之，此次清華團隊對于SSMB光源關鍵技術的驗證，使得EUV光刻機自主研發有望解決，因此這種技術研究的一個方向就是作為未來EUV光刻機的光源，為將來EUV光刻機的研發奠定基礎。而一旦我國實現了EUV光刻機的自主研發，像5nm、7nm等高端芯片也便能自主生產，我國將徹底解決芯片“卡脖子”問題，可謂是好消息來得真及時。
我們可以看到，美國人剛出臺針對中國芯片的政策，這邊很快就攻克了一道技術難關，可以說將壓力轉化為動力是我們中國人獨有的技能。根據工信部的說法，盡管遭到西方的封鎖，但我國芯片產業實際上已經邁入第一梯隊，在低端芯片領域甚至要超過美國，能滿足國內基本的芯片需求，而剩下的便是縮短與西方國家在高端芯片領域的差距了。
好在我國芯片產業的基礎已經打牢，可以集中精力來研制高端芯片，雖說要徹底解決高端芯片問題，可能還需要10多年，但至少前方是充滿希望的。
